时间：2025/6/29 13:57:23
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HH21N8R2C101CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
HH21N8R2C101CT 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡，适合高频开关应用。此外，该芯片具备出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：26A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：47nC
输入电容：1750pF
开关速度：10ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
3. 快速开关特性，适合高频工作环境。
4. 出色的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠运行。
5. 紧凑封装设计，便于布局和散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器。
5. 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 的电力电子系统。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF840,
STP80NF06,
FDP065N06L,
IXYS IXFN250N06T2
