时间：2025/8/9 11:51:14
阅读：27
2SK3689-01是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高速开关特性。该器件通常用于电源管理、DC-DC转换器以及需要高效能和小型封装的应用中。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：20V
最大连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：最大值4.5mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-220AB
2SK3689-01的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备高速开关能力，适用于高频开关电路，从而可以使用更小的电感和电容元件，减小整体系统尺寸。其高耐压能力和高电流容量使得该器件适用于各种功率转换应用。该器件的热阻较低，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定工作。此外，2SK3689-01采用TO-220AB封装，具有良好的机械稳定性和易于安装的特点。
另一个关键特性是其栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准驱动电路进行控制。该MOSFET的栅极氧化层具有较高的可靠性，能够在长时间运行中保持稳定性能。此外，其短路耐受能力较强，能够在异常工况下提供一定的保护能力。
2SK3689-01广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电机控制器以及电池充电器。其高效的能量转换能力和紧凑的封装形式使其特别适合于需要高功率密度的设计。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高效率电源适配器等应用场景。
SiMOSFET系列如SiS622DN、FDMS8878、以及国际整流器公司的IRF1405等型号可作为替代选择。
