2SK3663-T1-A 是一种 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),专为高电压和大电流应用设计。它采用 TO-247 封装形式,适合于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的耐压能力,能够有效降低功耗并提高效率。
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-247
最大漏源极电压 Vds:1500V
最大栅源极电压 Vgs:±20V
最大连续漏极电流 Id:8A
最大脉冲漏极电流 Iip:64A
导通电阻 Rds(on):4.5Ω(在 Vgs=20V 时)
总功耗 Ptot:225W
工作结温范围 Tj:-55℃ 至 +150℃
2SK3663-T1-A 具有以下显著特性:
1. 高击穿电压(1500V),适用于高压环境下的开关操作。
2. 极低的导通电阻(4.5Ω@Vgs=20V),可减少导通状态下的能量损耗。
3. 较高的电流承载能力(Id=8A),支持大功率负载。
4. 快速开关速度,有助于提升工作效率。
5. 良好的热稳定性,在高温条件下仍能保持稳定的性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
此器件特别适合需要高耐压、低损耗的应用场合,例如工业设备中的功率转换模块或新能源领域中的逆变系统。
2SK3663-T1-A 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管。
2. 逆变器电路中的功率开关元件。
3. 直流电机驱动及控制。
4. 不间断电源(UPS)系统的功率输出级。
5. 新能源技术,如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节。
6. 各种工业自动化设备中的高压大电流控制单元。
2SK3663, IRFP260N, STGW80N65HD