时间：2025/8/8 20:41:09
阅读：35
2SK3649-01R 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，常用于需要高效开关性能的电源管理系统中。这款MOSFET具有高电流容量和低导通电阻的特点，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源开关等多种应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：5.2mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：82nC
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
2SK3649-01R MOSFET具备低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
其高电流容量允许在高功率应用中使用，同时保持良好的热稳定性。
该器件采用了先进的封装技术，提供优良的散热性能，确保在高负载条件下可靠运行。
此外，它还具有快速开关特性，降低了开关损耗，使其适合高频操作环境。
内置的雪崩能量能力增强了器件在极端条件下的耐用性，提高了整体系统的稳定性与可靠性。
2SK3649-01R 广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
用于计算机和服务器电源的DC-DC转换器，以提高能源效率。
电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动系统，实现高效能的能量转换。
工业自动化设备中的电源开关和负载管理模块。
太阳能逆变器和其他可再生能源系统，优化能量收集和分配。
消费类电子产品如高端音频放大器和大功率LED照明系统中的电源管理。
2SK3649-01RL, 2SK3649-01R,XQ
