时间：2025/4/27 12:47:04
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PM-8953-0-187FOWNSP-TR-01-0是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低功耗并提升系统性能。
该器件封装形式紧凑，适合空间受限的应用场景，并且具备出色的热性能，确保在高负载条件下稳定运行。
型号：PM-8953-0-187FOWNSP-TR-01-0
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：1800pF
封装形式：TO-Leadless (DFN8x8)
工作温度范围：-55°C至+175°C
这款MOSFET采用了先进的晶圆技术，提供超低的导通电阻和优化的开关性能，有助于减少传导损耗和开关损耗。
其紧凑的封装形式使其非常适合用于移动设备、消费类电子产品以及工业控制领域中的高效能电源管理方案。
此外，PM-8953-0-187FOWNSP-TR-01-0还具备以下特点：
- 高效的热性能，支持高功率密度设计。
- 短路保护功能，增强系统的可靠性。
- 符合RoHS标准，环保无铅材料。
通过结合这些特性，此芯片可满足多种复杂应用场景的需求，同时确保长期可靠性和稳定性。
该芯片适用于广泛的电子应用领域，包括但不限于：
- 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
- DC-DC转换器的核心开关元件。
- 电机驱动电路中的功率级元件。
- 工业自动化设备中的负载开关。
- 汽车电子系统中的大电流开关。
- 笔记本电脑及平板电脑适配器中的高效能功率转换模块。
凭借其优越的电气特性和热性能，PM-8953-0-187FOWNSP-TR-01-0成为众多高性能应用的理想选择。
IRF840,
STP55NF06,
FDP5500,
IXYS IXFN40N06T2
