时间：2025/8/9 14:17:32
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2SK3648-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。该MOSFET设计用于在高频率和高功率条件下运行，具备较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。其封装形式为SOP（小外形封装），适合表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：120W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
2SK3648-01具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。
此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长器件的使用寿命。
它的封装设计紧凑，适合高密度电路板布局，有助于减小设备的体积。
该器件还具有良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电放电造成的损坏。
同时，其高栅极阈值电压确保了在复杂电磁环境中工作的可靠性。
2SK3648-01广泛应用于电源管理领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池充电器等设备。
由于其高效率和高可靠性，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）和车载充电器。
此外，它还可以用于工业自动化设备中的功率控制模块，提供稳定的电源管理解决方案。
在消费类电子产品中，如笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统中，也有广泛的应用。
SiHF60N60E, FDP60N60E, IRF640N
