CGH35015 时间：2025/9/11 4:45:25 阅读：36

CGH35015 是 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款高性能氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛应用于射频（RF）功率放大器领域。该器件基于GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅基板上）技术，具有优异的热性能和高功率密度，适用于商业和工业射频系统，如无线基础设施、广播系统、测试设备和军用通信设备。CGH35015 在 2.9 GHz 至 3.5 GHz 频率范围内工作，适合 5G 通信、WiMAX、雷达和广播发射机等应用。该晶体管采用气腔陶瓷封装，提供良好的散热性能和可靠性。

参数

类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：GaN HEMT
　　频率范围：2.9 GHz - 3.5 GHz
　　输出功率：15 W（典型值）
　　增益：>20 dB（典型值）
　　漏极效率：>60%（典型值）
　　工作电压：28 V
　　封装类型：气腔陶瓷封装
　　输入阻抗：50 Ω（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

CGH35015 的核心优势在于其基于 GaN-on-SiC 的材料结构，使得器件具备高功率密度、高效率和优异的热管理能力。GaN 材料具有高电子迁移率和高饱和漂移速度，使其非常适合高频、高功率应用场景。此外，SiC 基底具有出色的热导率，有助于有效散热，提高器件的稳定性和寿命。
　　该器件在2.9 GHz至3.5 GHz频段内表现出优异的线性度和输出功率，适用于多载波通信系统和宽带放大器设计。其高效率特性也使其在电池供电设备和高功率系统中具有节能优势。CGH35015 还具备良好的抗失真能力，适合用于需要高信号保真的通信系统。
　　该晶体管采用50Ω输入匹配设计，便于集成到射频电路中，同时其气腔陶瓷封装有助于降低寄生效应，提高高频性能。此外，CGH35015 还具有良好的抗静电放电（ESD）能力和高耐用性，适用于严苛环境下的工业和军事应用。