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2SK3612-01S-TE24R 发布时间 时间:2025/8/9 11:22:29 查看 阅读:28

2SK3612-01S-TE24R 是由东芝(Toshiba)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频开关应用和小型电源管理系统。该器件采用小型表面贴装封装(SOT-23),适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):100mA
  功耗(Pd):150mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-23

特性

2SK3612-01S-TE24R MOSFET具备多项优良特性,使其在低功率开关电路中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下较低的功率损耗,从而提高了系统效率。其次,该器件的栅极电荷(Qg)非常低,有助于实现更快的开关速度,从而减少开关损耗,适用于高频工作的应用场景。
  此外,该MOSFET采用小型SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用,例如智能手机、可穿戴设备、无线通信模块等。其封装设计还提供了良好的热稳定性,能够在较高温度环境下稳定运行。
  在可靠性方面,2SK3612-01S-TE24R具有较高的耐压能力,漏源电压为20V,栅源电压为±8V,适合用于低电压电源管理、逻辑电平转换和负载开关等应用。其高稳定性和低漏电流特性也使其在待机或低功耗模式下表现优异,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  总体而言,2SK3612-01S-TE24R是一款性能稳定、封装紧凑、适用于低功率高频开关应用的MOSFET,广泛应用于现代便携式电子产品中。

应用

2SK3612-01S-TE24R 主要应用于以下领域:便携式电子设备中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备;低功耗蓝牙模块、Wi-Fi模块等无线通信设备中的开关控制电路;LED驱动电路中的小电流负载开关;逻辑电平转换电路,用于不同电压域之间的信号隔离与转换;传感器电路中的信号调理和开关控制等。
  由于其小型SOT-23封装和良好的电气性能,该MOSFET也常用于电池供电设备中的负载管理和节能控制,例如智能手表、健康监测设备、远程遥控器等需要低功耗运行的场合。此外,在工业自动化设备和小型电机控制电路中,2SK3612-01S-TE24R也可作为小型开关元件使用。

替代型号

2SK2996-01L-TE24R, 2SK3018-01L-TE24R, 2SK3018-01S-TE24R

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