时间：2025/8/9 11:22:29
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2SK3612-01S-TE24R 是由东芝（Toshiba）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关应用和小型电源管理系统。该器件采用小型表面贴装封装（SOT-23），适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：100mA
功耗(Pd)：150mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
2SK3612-01S-TE24R MOSFET具备多项优良特性，使其在低功率开关电路中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下较低的功率损耗，从而提高了系统效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）非常低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频工作的应用场景。
此外，该MOSFET采用小型SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，例如智能手机、可穿戴设备、无线通信模块等。其封装设计还提供了良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行。
在可靠性方面，2SK3612-01S-TE24R具有较高的耐压能力，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，适合用于低电压电源管理、逻辑电平转换和负载开关等应用。其高稳定性和低漏电流特性也使其在待机或低功耗模式下表现优异，有助于延长电池供电设备的续航时间。
总体而言，2SK3612-01S-TE24R是一款性能稳定、封装紧凑、适用于低功率高频开关应用的MOSFET，广泛应用于现代便携式电子产品中。
2SK3612-01S-TE24R 主要应用于以下领域：便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；低功耗蓝牙模块、Wi-Fi模块等无线通信设备中的开关控制电路；LED驱动电路中的小电流负载开关；逻辑电平转换电路，用于不同电压域之间的信号隔离与转换；传感器电路中的信号调理和开关控制等。
由于其小型SOT-23封装和良好的电气性能，该MOSFET也常用于电池供电设备中的负载管理和节能控制，例如智能手表、健康监测设备、远程遥控器等需要低功耗运行的场合。此外，在工业自动化设备和小型电机控制电路中，2SK3612-01S-TE24R也可作为小型开关元件使用。
2SK2996-01L-TE24R, 2SK3018-01L-TE24R, 2SK3018-01S-TE24R
