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JEB2V5DF-Z 发布时间 时间:2025/6/13 9:03:37 查看 阅读:5

JEB2V5DF-Z 是一款高性能的双极性晶体管,广泛应用于各种开关和放大电路中。该器件具有高增益、低噪声和快速开关的特点,适用于高频信号处理和功率放大等场景。其封装形式通常为 SOT-23,适合表面贴装工艺,能够有效减小电路板空间占用。

参数

集电极-发射极电压:30V
  集电极电流:200mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  过渡频率(fT):300MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温:-40℃~125℃
  封装类型:SOT-23

特性

JEB2V5DF-Z 的主要特性包括高增益性能,能够在较低的基极驱动电流下提供高效的电流放大效果。此外,该器件还具备出色的频率响应能力,使其非常适合用于射频 (RF) 应用。其小型化的 SOT-23 封装不仅提高了散热效率,还支持自动化生产,从而降低了制造成本。
  同时,该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。这使得 JEB2V5DF-Z 成为汽车电子、消费类电子产品和工业控制设备中的理想选择。

应用

JEB2V5DF-Z 常见的应用领域包括无线通信模块、音频放大器、传感器接口、电源管理电路以及各类高频信号处理系统。此外,它还可以作为开关元件用于 LED 驱动和负载控制等场合。由于其卓越的性能表现,这款晶体管在需要高效能和小体积设计的场景中备受青睐。

替代型号

MMBT3904LT1G, 2SC3367

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