时间：2025/8/9 14:27:11
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2SK3611-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频开关应用和电源管理。这款MOSFET具有低导通电阻、高功率密度和快速开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的功率控制。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：2.5A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：7nC
功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK3611-01MR 的核心特性包括其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率，适用于高频率开关应用。该器件的高栅极电压容限（±20V）使其在各种控制条件下都能稳定运行，减少了栅极驱动电路的设计复杂性。
此外，该MOSFET采用小型SOT-23封装，节省空间并便于在紧凑型电路板中布局。其快速开关特性降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。这种MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下可靠工作。
2SK3611-01MR 常用于电源管理模块，如DC-DC转换器和负载开关，适用于电池供电设备、便携式电子产品和工业控制系统。此外，该器件也适合用于高频开关电路，例如电机驱动、LED照明控制和各种开关电源应用。
2SK3610-01MR、2SK3612-01MR、FDMS3610
