时间：2025/8/9 13:19:50
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2SK3608-01S-TE24R是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，专为高频应用而设计。这款MOSFET通常用于射频（RF）功率放大器和开关应用，具备低导通电阻、高功率密度和快速开关速度的特点。该器件采用小型表面贴装封装，适合在空间受限的电路板上使用。2SK3608-01S-TE24R的高性能和可靠性使其成为通信设备和工业控制系统中的理想选择。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：20A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
2SK3608-01S-TE24R MOSFET具有多项优越的电气特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为18mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达20A的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。此外，其最大漏源电压为60V，适用于多种电源管理和功率放大应用。
这款MOSFET采用了先进的沟槽式结构，提升了导通性能并增强了热稳定性。其封装形式为表面贴装型（SOP），便于自动化生产并节省PCB空间，非常适合高密度电路设计。同时，该器件具备良好的热阻特性，确保在高负载下仍能保持稳定运行。
2SK3608-01S-TE24R还具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，其栅极驱动要求较低，适配常见的驱动电路，简化了设计流程。该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适应工业级工作温度范围（-55°C至150°C），适用于严苛的工作环境。
2SK3608-01S-TE24R广泛应用于多种电子系统和设备中，尤其适合高频功率放大器和DC-DC转换器。在通信设备中，该MOSFET可用于射频功率放大器模块，提供高效率和稳定的信号放大能力。此外，它还可用于工业自动化控制系统中的电源管理模块，提供可靠的功率切换和调节功能。
在消费类电子产品中，该器件可用于高性能电源适配器、电池管理系统和电机控制电路。由于其表面贴装封装形式，非常适合紧凑型电子设备的设计需求。此外，2SK3608-01S-TE24R也常用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动和电动助力转向系统，提供高效、可靠的功率控制方案。
SiRF841TD、FDMS86180、IPD95N06S4-03
