工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为10 W（在2.5 GHz）
　　增益：典型值为18 dB（在2.5 GHz）
　　电源电压：28 V（典型值）
　　电流消耗：典型静态电流为500 mA
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　输入驻波比（VSWR）：典型值为2:1
　　输出驻波比（VSWR）：典型值为10:1
　　热阻（RθJC）：约2.5°C/W

RF6559TR13具有多项出色的性能特性，适用于高要求的射频应用。
　　首先，它基于LDMOS技术，能够在高频段（2.3 GHz至2.7 GHz）提供高输出功率和优异的线性度，非常适合用于基站、无线通信系统和测试设备中的功率放大器设计。该晶体管在2.5 GHz频率下的典型输出功率为10 W，增益为18 dB，表现出良好的放大能力。
　　其次，该器件具有较高的电源效率，能够在28 V电源电压下工作，典型静态电流为500 mA，确保了较低的功耗和较高的能量利用率。这对于需要长时间运行的系统来说尤为重要，有助于降低散热需求并提高系统的可靠性。
　　此外，RF6559TR13具有良好的输入和输出匹配特性，其输入VSWR典型值为2:1，输出VSWR为10:1，这使得设计者在使用该器件时可以更容易地实现宽带匹配，减少外部元件的数量，简化电路设计。
　　该晶体管采用SMD封装形式，具有较小的体积和良好的热管理性能，热阻RθJC约为2.5°C/W，使其在高功率工作条件下仍能保持稳定的工作温度。这不仅提高了器件的可靠性，还增强了其在高密度PCB设计中的适用性。
　　最后，RF6559TR13具有宽泛的工作温度范围（-40°C至+150°C），可在各种环境条件下稳定运行，适用于户外设备和工业级应用。

RF6559TR13广泛应用于需要高频功率放大的各种电子系统中。
　　最典型的应用是在无线通信基础设施中，如Wi-Fi接入点、WiMAX基站和小型蜂窝基站。该晶体管在2.3 GHz至2.7 GHz频段内提供稳定的10 W输出功率，适用于802.11a/n/ac/ax等无线标准的射频前端模块。
　　在广播和测试设备领域，RF6559TR13也常用于构建高精度的射频信号发生器和功率放大器模块。其高线性度和良好的失真控制能力，使其成为信号源和测试仪器中的理想选择。
　　此外，该器件也可用于工业和医疗设备中的射频能量传输系统，如射频加热、射频等离子体生成等应用。其稳定的输出特性和良好的热管理能力，使其在这些高要求环境中表现出色。
　　在航空航天和国防领域，RF6559TR13可用于构建高可靠性的射频通信和雷达系统。其宽温度范围和坚固的封装结构，使其能够适应极端环境下的工作需求。

NXP MRF6S27045N, Infineon BLC8S11-250E, Cree CMPA2735030S