时间：2025/8/9 5:10:46
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2SK3600-01S-TE24R是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效率和高性能的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等。该MOSFET采用小型SOP（Small Outline Package）封装，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.0A（绝对最大额定值）
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：典型值为4.5Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
2SK3600-01S-TE24R具有多个显著特性，使其适用于各种高性能电源管理应用。首先，该MOSFET的低导通电阻（RDS(ON)）可以减少导通损耗，从而提高系统效率。其次，该器件采用SOP封装，体积小，便于在高密度PCB设计中使用。此外，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，能够减少开关损耗并提高响应速度。该器件的栅极驱动电压范围较宽（最高可达±20V），提高了设计灵活性。同时，其良好的热稳定性和高可靠性使其能够在严苛的工作环境下稳定运行。
2SK3600-01S-TE24R广泛应用于各种电源管理系统和电子设备中。例如，该MOSFET可用于DC-DC转换器中的同步整流器，以提高转换效率；也可用于电池供电设备中的负载开关，实现对负载的高效控制。此外，该器件还适用于电机驱动电路、LED驱动器以及各种低电压功率控制应用。
2SK3600-01S-TE24R的替代型号包括2SK3600-01S-TE85R和Si2301DS。
