时间：2025/8/9 2:07:16
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2SK3592-01S-TE24R 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件适用于高效率电源转换和功率控制应用，具有良好的导通电阻和开关性能。其采用SOT-223封装形式，适用于表面贴装技术，适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：30V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
导通电阻(Rds(on))：最大值5.7mΩ
封装类型：SOT-223
2SK3592-01S-TE24R MOSFET在性能和可靠性方面表现出色，特别适合用于高功率密度设计。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体效率。该器件的封装设计优化了热性能，能够有效地将热量从芯片传导出去，从而提高器件的稳定性和寿命。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，使其在高频开关应用中表现优异，例如在DC-DC转换器、电源管理系统和电机控制电路中。SOT-223封装形式还提供了良好的机械稳定性和适合自动化装配的特性，广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
为了确保长期使用的可靠性，2SK3592-01S-TE24R 还具备良好的抗静电能力和热稳定性。其栅极驱动要求较低，可以与常见的控制器或驱动器兼容，简化电路设计。
该MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：电源供应器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关和功率放大器。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能和高可靠性设计的理想选择。
Si4410BDY-T1-E3, IRF7472TR2PBF, 2SK3298B
