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HY5V26FFP-H-C 发布时间 时间:2025/9/2 5:45:33 查看 阅读:6

HY5V26FFP-H-C 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一种低电压、高密度、高可靠性的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高性能和低功耗特性,广泛应用于便携式电子设备、工业控制系统、消费类电子产品和嵌入式系统中。HY5V26FFP-H-C是一款容量为256Mbit、组织结构为16M x 16的DRAM芯片,支持快速数据读写和刷新机制。

参数

容量:256 Mbit
  组织结构:16M x 16
  电压范围:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  访问时间:5.4ns
  刷新周期:64ms
  最大工作频率:166MHz
  数据宽度:16位
  封装引脚数:54
  制造厂商:SK Hynix

特性

HY5V26FFP-H-C 采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的性能和低功耗优势。其电压范围为2.3V至3.6V,适用于多种电源管理系统,具有良好的兼容性。该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,确保数据在断电或低功耗模式下不丢失。其TSOP封装设计使其适用于高密度PCB布局,同时具备良好的热稳定性和机械强度。工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境。此外,该芯片支持166MHz的高速操作频率,适用于需要快速数据存取的系统。其54引脚封装设计简化了电路连接,并降低了布线复杂度。
  在数据完整性方面,HY5V26FFP-H-C具备优异的抗干扰能力,适用于复杂电磁环境下的应用。其高速访问时间(5.4ns)确保系统响应迅速,提升整体性能。该芯片还具备可编程的刷新控制机制,可根据系统需求调整刷新周期,从而优化功耗与性能的平衡。

应用

HY5V26FFP-H-C 主要应用于需要高性能和低功耗DRAM的电子设备,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、便携式电子产品(如手持终端、平板电脑)、通信设备(如路由器、调制解调器)、视频采集与处理设备、医疗仪器、智能家电以及消费类电子产品等。由于其宽电压范围和宽温工作特性,特别适用于需要稳定性和可靠性的工业和车载系统。此外,该芯片也广泛用于网络设备和数据存储系统中,以支持高速缓存和临时数据存储需求。

替代型号

IS42S16100J-6T, CY7C1061AV33-10ZSXC, A2VDD16040A1A, MT48LC16M2A2B4-6A

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