HY5V26FFP-H-C 时间：2025/9/2 5:45:33 阅读：17

HY5V26FFP-H-C 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一种低电压、高密度、高可靠性的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有高性能和低功耗特性，广泛应用于便携式电子设备、工业控制系统、消费类电子产品和嵌入式系统中。HY5V26FFP-H-C是一款容量为256Mbit、组织结构为16M x 16的DRAM芯片，支持快速数据读写和刷新机制。

参数

容量：256 Mbit
　　组织结构：16M x 16
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　最大工作频率：166MHz
　　数据宽度：16位
　　封装引脚数：54
　　制造厂商：SK Hynix

特性

HY5V26FFP-H-C 采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的性能和低功耗优势。其电压范围为2.3V至3.6V，适用于多种电源管理系统，具有良好的兼容性。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，确保数据在断电或低功耗模式下不丢失。其TSOP封装设计使其适用于高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和机械强度。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境。此外，该芯片支持166MHz的高速操作频率，适用于需要快速数据存取的系统。其54引脚封装设计简化了电路连接，并降低了布线复杂度。
　　在数据完整性方面，HY5V26FFP-H-C具备优异的抗干扰能力，适用于复杂电磁环境下的应用。其高速访问时间（5.4ns）确保系统响应迅速，提升整体性能。该芯片还具备可编程的刷新控制机制，可根据系统需求调整刷新周期，从而优化功耗与性能的平衡。

应用

HY5V26FFP-H-C 主要应用于需要高性能和低功耗DRAM的电子设备，包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、便携式电子产品（如手持终端、平板电脑）、通信设备（如路由器、调制解调器）、视频采集与处理设备、医疗仪器、智能家电以及消费类电子产品等。由于其宽电压范围和宽温工作特性，特别适用于需要稳定性和可靠性的工业和车载系统。此外，该芯片也广泛用于网络设备和数据存储系统中，以支持高速缓存和临时数据存储需求。