时间：2025/8/9 17:51:34
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2SK3587-01MR是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高耐压和优异的开关性能。该型号通常用于DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制等需要高效能功率转换的电路中。2SK3587-01MR封装形式为SOP（小外形封装），具有良好的热性能和空间利用率，适用于便携式设备和紧凑型电源设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：6A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：11nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP-8
2SK3587-01MR具备多项高性能特性，使其在功率MOSFET领域具有显著优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为35mΩ，可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。这在高负载电流应用中尤为重要，例如DC-DC转换器和电池供电设备的电源管理系统。
其次，该器件的最大漏极电流为6A，漏源电压可达30V，支持较高的功率处理能力，适合中等功率级别的开关应用。栅源电压最大为20V，提供了较大的驱动电压范围，有助于提升开关速度和稳定性。
此外，2SK3587-01MR的栅极电荷（Qg）为11nC，较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用（如PWM控制和同步整流）非常关键。
其SOP-8封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，能够在较高工作温度下保持稳定运行。这使得该MOSFET非常适合用于紧凑型电源模块和便携式电子设备。
最后，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种严苛的环境条件，具有良好的可靠性和稳定性。
2SK3587-01MR广泛应用于需要高效功率转换的电子设备中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路。此外，它也适用于需要高效率和高频开关性能的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式电子产品中的电源系统。由于其低导通电阻和优异的热性能，2SK3587-01MR在汽车电子系统、工业自动化设备和LED照明驱动电路中也有广泛应用。
2SK3587-01MR的替代型号包括SiSS62DN、AO4406A和IRF7404。这些型号在性能和封装上与2SK3587-01MR相似，适用于相同的应用场景。
