时间：2025/8/9 17:52:21
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2SK3580-01MR是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式工艺，提供了优异的导通性能和开关特性。该MOSFET封装为SOP（小型封装），适用于小型化和高密度电路设计，常用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA
导通电阻（Rds(on)）：2.7Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP
引脚数：6
晶体管配置：单管
2SK3580-01MR采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效减少功率损耗，提高系统的整体效率。
该器件支持高达30V的漏源电压，适用于多种低压电源转换和管理应用，同时具备±20V的栅源电压耐受能力，增强了其在不同工作环境下的稳定性和可靠性。
其连续漏极电流能力为100mA，适合低功耗、小型电子设备的开关控制，如便携式设备、传感器电路和微处理器外围电路。
采用SOP-6封装形式，体积小巧，便于PCB布局和集成，同时也符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有利于高频开关操作，从而提升电路响应速度和系统性能。
此外，该器件具备良好的热稳定性和抗干扰能力，在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。
2SK3580-01MR广泛应用于各种电子设备中，包括便携式电子产品、小型电源模块、LED驱动电路、电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路以及各种低功耗控制电路。
它在移动设备中常用于电源管理和信号切换，例如在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中控制不同模块的供电。
在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路和小型电机驱动器。
此外，它也适用于嵌入式系统中的电源分配、电压调节和保护电路，确保系统在不同负载条件下的稳定运行。
由于其高频开关特性，该器件还可用于音频放大器、射频开关和高频整流器等应用中。
2SK3580-01ML(T/H), 2SK3580-01MS, 2SK3580-01MX, 2SK3580-01MR-A
