2SK3564是一款N沟道MOSFET功率晶体管,主要应用于高频放大器、射频开关以及音频功率放大器等领域。该器件具有低导通电阻和高增益的特点,适合需要高效能和稳定性的电路设计。S5Q(J)是2SK3564的封装代码,表示其采用的是TO-218类型的封装形式。
型号:2SK3564
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
输入电容(Ciss):420pF
功耗(Ptot):75W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
封装:S5Q(J)
2SK3564的主要特性包括:
1. 高击穿电压,适用于多种高压场景。
2. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗。
3. 高速开关性能,使其非常适合高频应用。
4. 稳定的热性能,确保在高温环境下也能正常工作。
5. 封装形式坚固耐用,适合工业级应用需求。
这些特性使得2SK3564成为射频和音频功率放大领域中的理想选择。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 音频功率放大器,特别是在高品质音响系统中。
2. 射频功率放大器,用于无线通信设备。
3. 高效DC-DC转换器,适用于电源管理模块。
4. 工业控制中的开关电路。
5. 各种高频信号处理电路。
由于其出色的性能,2SK3564特别适合需要高效率和高稳定性的电子设备。
2SK2919, 2SK3242