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IXDD415SI 发布时间 时间:2024/9/25 11:11:20 查看 阅读:1182

参数

制造商:IXYS
  类型:Low Side
  上升时间:4.5 ns(Typ)
  下降时间:3.5 ns(Typ)
  传播延迟时间:38 ns
  电源电压(最大值):30 V
  电源电压(最小值):8 V
  电源电流:3 mA
  最大功率耗散:1000 mW
  激励器数量:2
  输出端数量:2
  输出电流:15 A(Typ)
  最大关闭延迟时间:35 ns
  最大开启延迟时间:38 ns

封装参数

封装/箱体:SOIC-28
  封装:Box
  安装风格:SMD/SMT

物理参数

最大工作温度:+85 C
  最小工作温度:-40 C

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IXDD415SI参数

  • 标准包装27
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间32ns
  • 电流 - 峰15A
  • 配置数2
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压8 V ~ 30 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装28-SOIC
  • 包装管件