时间：2025/8/9 18:14:01
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2SK3534-01MR是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。2SK3534-01MR通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和各种功率电子设备中。其封装形式为SOT-223，便于散热并适合高密度PCB布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：最大45mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-223
2SK3534-01MR具有多项优异的电气和热性能，适合高性能功率应用。其导通电阻低至45mΩ，使得在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。
此外，该MOSFET的栅极电荷量较低，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流电路。
该器件采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定运行，同时节省PCB空间，适合紧凑型设计。
2SK3534-01MR具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突变负载或短路情况下的可靠性，延长了系统的使用寿命。
其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V和12V驱动电路，兼容多种控制IC和驱动器，便于系统集成和优化。
2SK3534-01MR广泛应用于多种电源和功率控制场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高效升压或降压电路，提供稳定的电压转换。
在电机控制和H桥驱动电路中，它可用于控制直流电机的正反转和调速，具有响应快、控制精度高的特点。
该器件也适用于电池管理系统，如便携式电子设备中的充放电控制，以及负载开关和电源管理模块。
此外，2SK3534-01MR还可用于LED照明驱动、电源适配器、工业自动化控制和智能家电中的功率开关电路，满足多样化的设计需求。
由于其高频开关特性和低损耗，该MOSFET在无线充电、感应加热和功率因数校正（PFC）电路中也有广泛应用。
2SK3534-01ML, 2SK3534-01M, 2SK3534-01MR-A, Si4410BDY
