时间：2025/8/9 16:50:20
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2SK3531-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关和功率放大电路中。该器件具有较低的导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种电子设备中的功率管理与转换模块。该MOSFET采用小型SOT-23封装形式，便于在紧凑的电路板设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA（最大）
导通电阻（Rds(on)）：约5Ω（典型值）
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
2SK3531-01 是一款适用于高频和低功率应用的N沟道MOSFET。其主要特性包括低导通电阻、快速开关速度以及高稳定的工作性能。该器件能够在较高的频率下运行，适用于需要高效能开关操作的电路。此外，2SK3531-01 具备较强的温度耐受能力，可在恶劣环境下保持稳定运行。该MOSFET的SOT-23封装形式有助于节省PCB空间，适用于便携式设备和小型电源模块的设计。
其栅极驱动电压范围较宽，能够在+10V至+20V之间正常工作，确保了器件在不同应用场景下的兼容性。同时，其漏极-源极之间的击穿电压达到100V，能够承受一定的电压波动，提高了系统的可靠性。该器件还具备较低的漏电流，有助于减少静态功耗，提高整体能效。
2SK3531-01 的设计使其在小功率放大器、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中表现出色。由于其封装小巧、性能稳定，因此广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统中。
2SK3531-01 适用于多种电子电路设计，特别是在低功率开关和信号放大应用中表现出色。它常用于便携式设备的电源管理系统，如智能手表、蓝牙耳机和移动电源等。此外，该MOSFET也可用于DC-DC升压/降压转换器、LED驱动电路以及电池充电控制电路中。在射频和高频放大电路中，2SK3531-01 也能提供良好的信号放大性能。由于其高可靠性和小型化设计，该器件在自动化控制设备、传感器模块以及无线通信模块中也有广泛应用。
2SK3530-01, 2SK2462, 2N7002, BSS138
