时间：2025/8/9 14:18:31
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2SK3529-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET专为高电流和高频率应用而设计，广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电机控制电路中。其封装形式为SOP（小外形封装），具有良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
漏源极最大电压（VDS）：60V
栅源极最大电压（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：45W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值为12mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约65nC
漏源极电容（Coss）：约900pF
2SK3529-01 具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。其低栅极电荷特性使得开关损耗更低，适用于高频开关应用。
此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定的性能，适用于高可靠性要求的工业和汽车电子系统。
该MOSFET采用SOP封装，尺寸紧凑，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的散热性能，确保长时间工作下的稳定性。
2SK3529-01 的高耐压能力和高电流能力使其在大功率转换器和逆变器中表现出色，能够满足现代电源系统对高效、小型化和高可靠性的需求。
2SK3529-01 主要用于高性能电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及电机驱动器。由于其高效率和低损耗特性，也常用于服务器电源、通信设备电源模块以及汽车电子系统中的功率控制部分。
此外，该MOSFET适用于需要快速开关的场合，如UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业自动化设备中的电源控制模块。
2SK3528-01, 2SK3527-01, IRF1404, IRF1405
