时间：2025/9/14 22:28:04
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IXGP7N60B是一款功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。这款器件由IXYS公司生产，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，使其在功率转换应用中表现优异。该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：7A
漏源电压：600V
栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
功耗：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TO-247
IXGP7N60B具有优异的开关性能，能够在高频下工作，降低开关损耗。其低导通电阻提高了导通状态下的效率，并减少了热量的产生。此外，该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，在高温环境下也能稳定工作。其TO-247封装提供了良好的散热能力，适用于需要高功率密度的设计。
该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定，提高系统的鲁棒性。其栅极驱动特性优化，使得驱动电路设计更加简便，降低了系统复杂度。由于其快速的开关特性，IXGP7N60B非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统等应用。
IXGP7N60B常用于电源转换器、不间断电源（UPS）、电机控制、工业自动化设备以及各种电力电子系统。其高频开关能力使其成为开关电源（SMPS）的理想选择。此外，它还适用于逆变器、太阳能逆变器和电焊设备等高功率应用，能够提供高效、稳定的性能。
IXGP6N60B, IXGP8N60B
