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2SK3521-01S 发布时间 时间:2025/8/9 3:21:31 查看 阅读:31

2SK3521-01S 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于高频率和高效率的开关电源电路。这款MOSFET采用SOP封装,具备较低的导通电阻、较高的功率密度和良好的热稳定性,适用于各类小型电子设备的电源转换器设计。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):100mA(@Vds=10V)
  导通电阻(Rds(on)):约300Ω(@Vgs=10V)
  功耗(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP

特性

2SK3521-01S 具备多项优异特性,使其在小型电源管理系统中表现突出。
  首先,该MOSFET的导通电阻较低,能够在高频开关操作中减少导通损耗,从而提高整体系统的效率。这对于追求高效能和节能设计的应用尤为重要。
  其次,该器件采用SOP封装,具有较小的封装尺寸,便于在空间受限的电子设备中进行布局。这种紧凑的封装方式也提高了整体电路的集成度。
  此外,2SK3521-01S 的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V的最大栅源电压,这意味着它可以在不同的驱动条件下稳定工作,并适应多种控制电路的设计需求。
  该器件的热稳定性较强,能够在较高温度下保持稳定的电气性能。这使得它在高温环境下依然能够可靠运行,提高了设备的稳定性和寿命。
  最后,由于其增强型设计,2SK3521-01S 在正常工作时需要正向栅极电压来导通,避免了误导通的风险,提升了系统的安全性。

应用

2SK3521-01S 广泛应用于各类需要高频率开关和低功耗设计的电子设备中。例如,它常用于DC-DC转换器、LED驱动电路、小型电机控制电路以及电池管理系统中。此外,该MOSFET也适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。在这些应用中,2SK3521-01S 可以有效提升能效,延长设备的续航时间,同时减小整体电路的尺寸和重量。

替代型号

2SK2313, 2SK3018, 2N7002

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