类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：60A（在TC=25℃）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

2SK3516-01L 具备多项优异特性，使其在高频率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在4.5V的栅极驱动电压下可低至约0.014Ω，这显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而实现更高的电源转换效率。
　　其次，该器件具有良好的热性能，采用TO-252（DPAK）封装，能够有效地将热量从芯片传导到外部散热器，确保在高电流条件下仍能保持稳定的运行。该封装形式也便于PCB布局和自动化焊接，适合现代电子产品的批量生产。
　　另外，2SK3516-01L 的工作温度范围宽广，从-55℃到+150℃，适应各种严苛的工作环境，具备较高的可靠性和耐用性。其栅源电压最大可达20V，提供了较大的设计余量，防止因电压波动而导致的器件损坏。该MOSFET还具备较强的抗静电能力，增强了器件在实际应用中的稳定性。

2SK3516-01L 常用于各种电源转换和管理电路中，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备电源模块以及汽车电子系统中的功率控制电路。其高效率和紧凑的封装形式使其特别适用于对空间和效率要求较高的应用场合。

Si4410BDY、IRF3710、FDMS86101、FDS6680、2SK3084