2SK3469 时间：2025/7/25 16:51:47 阅读：7

2SK3469 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，广泛用于高频放大器、开关电源以及DC-DC转换器等电子电路中。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于中高功率应用。2SK3469通常采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性的电路设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：60V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.36Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK3469 MOSFET具备多项优良特性，适用于多种电子应用。其最大漏极电压为60V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压开关电路。最大连续漏极电流为10A，表明该器件在高电流条件下仍能稳定工作，适合用于功率放大器和DC-DC转换器。
　　导通电阻RDS(on)最大为0.36Ω，这有助于降低导通损耗，提高能效。此外，2SK3469的栅极电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，避免栅极击穿风险。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要长时间运行和高可靠性的应用场景。工作温度范围从-55°C至+150°C，适应性强，可在极端温度环境下稳定工作。

应用

2SK3469 MOSFET广泛应用于多种电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统以及高频放大器等。其高电流能力和低导通电阻使其在电源管理和功率控制电路中表现出色。此外，该器件也常用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中，提供高效的功率控制和稳定的电气性能。