时间：2025/8/9 15:55:35
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2SK3468-01是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用，例如DC-DC转换器、电源管理和电机控制等。这款MOSFET采用了先进的工艺技术，以实现高效率和低导通电阻。2SK3468-01的封装形式为SOP（小外形封装），适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：约25mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
2SK3468-01具备多项优良特性，首先，其低导通电阻可以显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。其次，该器件支持较高的栅源电压（最大20V），使得在实际应用中更容易实现稳定的栅极驱动，提高器件的可靠性。此外，2SK3468-01具有快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而降低整体电路的体积和成本。
该MOSFET的封装形式为SOP-8，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产，提高了装配效率。同时，SOP封装具备良好的散热性能，有助于在高电流工作条件下保持较低的温度上升，从而提升器件的稳定性和寿命。
在安全性和保护方面，2SK3468-01内置了一定的过热和过流保护能力，能够防止因瞬态负载或短路引起的损坏。这使得它在复杂的工作环境中具有更高的可靠性。此外，该器件的温度稳定性较好，能够在宽温度范围内保持良好的性能，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
2SK3468-01主要应用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。在DC-DC转换器中，它常用于降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构中，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于需要高效率和小尺寸设计的电源模块。
此外，该MOSFET也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，确保电池在安全范围内工作。在电机控制应用中，2SK3468-01可用于驱动小型直流电机或步进电机，提供可靠的开关性能。
在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，2SK3468-01可用于电源管理电路，优化电池使用效率。同时，它也广泛应用于工业自动化设备、传感器模块和汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和LED照明驱动等场景。
Si2302DS, 2SK3468-01L, 2SK3468-01R
