FBR12ND12 时间：2025/8/9 10:53:56 阅读：18

FBR12ND12是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率应用，如电源转换、马达控制和逆变器系统。这款MOSFET采用N沟道设计，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻。FBR12ND12由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造，广泛应用于工业自动化、汽车电子和消费电子产品。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

FBR12ND12的N沟道结构提供了高效的电流传导能力，适用于高电压和高电流的环境。其高耐压能力（1200V）使其在高压应用中表现出色，例如电源适配器、电机驱动器和工业逆变器。
　　FBR12ND12的导通电阻较低，降低了导通损耗，提高了系统效率。这种特性使其适用于需要高能效的开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
　　该MOSFET的TO-247封装设计提供了良好的热管理能力，能够有效散热，确保长时间稳定运行。这种封装形式也便于安装和散热片连接，适合高功率密度设计。
　　此外，FBR12ND12具有较高的可靠性，能够在严苛的工业环境中稳定工作，具备良好的抗干扰能力和温度稳定性。

应用

FBR12ND12广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、电机驱动器、逆变器和DC-DC转换器。由于其高耐压和较低的导通电阻，它在开关电源（SMPS）中特别受欢迎，能够提供高效的电源转换能力。
　　在汽车电子领域，FBR12ND12可用于电动车辆的电池管理系统、车载充电器和电机控制器。此外，它也适用于家用电器，如高功率变频空调和智能家电中的电源管理模块。