时间：2025/8/9 13:33:49
阅读：12
2SK3363-01 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频和高速开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高频响应和良好的热稳定性，广泛用于电源转换、音频放大器、电机控制和射频（RF）电路等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：500mA
最大漏源电压（VDS）：150V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为25Ω（VGS=10V）
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-92
截止频率（fT）：200MHz
2SK3363-01 MOSFET具有多项优良特性，适用于多种高频和高效率应用。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的低功耗和高效能表现，适用于需要高效能和低热量积累的电路设计。该器件的高漏源电压（VDS）额定值为150V，使其适用于中高压应用，如DC-DC转换器和高压开关电路。
此外，2SK3363-01具备高达200MHz的截止频率（fT），使其在高频放大器和射频电路中表现出色。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许在不同电压条件下稳定工作，提高了电路设计的灵活性。其TO-92封装形式不仅小巧轻便，而且具备良好的热管理和电气性能，适用于紧凑型电路板布局。
该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和航空航天等高可靠性应用场景。此外，其低输入电容（CISS）和快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
2SK3363-01 MOSFET主要应用于高频放大器、射频（RF）电路、音频功率放大器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及各种高电压开关应用。由于其高频率响应和良好的导通性能，该器件特别适用于需要高效能和高稳定性的电子系统，如工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品。在音频放大器设计中，它能够提供清晰的音质输出，并有效减少失真。此外，该器件也可用于脉宽调制（PWM）控制器和电源管理系统，确保高效能和稳定的电源转换。
2SK170, 2SK246, 2SK30ATM
