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HZU2.0GTRF 发布时间 时间:2025/9/7 9:56:48 查看 阅读:16

HZU2.0GTRF 是一款专为高频应用设计的功率晶体管,常用于射频(RF)放大和功率控制场合。该器件采用了先进的硅双极型晶体管技术,具备高增益、高效率和良好的热稳定性能。其设计适用于通信设备、工业控制、射频电源等需要高频功率放大的场景。

参数

型号: HZU2.0GTRF
  类型: 功率晶体管
  技术: 硅双极型晶体管
  最大工作频率: 2.0 GHz
  最大集电极电流: 5 A
  最大集电极-发射极电压: 30 V
  最大功率耗散: 50 W
  增益: 10 dB
  封装类型: TO-220
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C

特性

HZU2.0GTRF 在射频功率放大领域具有显著的优势。首先,该器件的最大工作频率可达2.0 GHz,使其适用于高频通信系统中的功率放大需求。其高增益特性(10 dB)确保了信号的高效放大,同时具备良好的线性度,降低了信号失真。
  其次,HZU2.0GTRF 的最大集电极电流为5 A,集电极-发射极电压为30 V,支持在较高功率下稳定工作。最大功率耗散为50 W,结合其良好的热管理设计,确保了在高温环境下依然能够保持可靠的工作性能。

应用

HZU2.0GTRF 主要应用于需要高频功率放大的场景。它广泛用于通信系统中的射频放大器,如基站、无线通信设备和卫星通信系统。此外,该晶体管还适用于工业控制系统中的功率调节和放大,以及射频电源、医疗设备、测试仪器和射频加热设备等应用场景。其高增益和高效能特性使其成为高频电路设计中的关键组件。

替代型号

BLF244、2SC1971、RD16HHF1

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