型号：2SK3335
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　功耗（Pd）：150 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.95 Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：520 pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：100 pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：35 pF（@Vds=25V）
　　栅极电荷（Qg）：47 nC（@Vgs=10V）
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 °C
　　存储温度范围：-55 ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220FP

2SK3335具备多项关键特性，使其成为高性能功率开关应用中的理想选择。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其适用于多种离线式开关电源设计，例如AC-DC适配器、LED驱动电源以及工业用高压电源模块。这一耐压等级确保了器件在面对电网波动或负载突变时仍能保持稳定工作，避免因过压导致的损坏。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.95Ω，在额定电流下可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。虽然相较于现代超结MOSFET其Rds(on)偏高，但在成本敏感型应用中仍具竞争力。
　　该器件采用了优化的栅极结构设计，使得栅极电荷（Qg）控制在47nC左右，有助于减少驱动电路的能量消耗，并支持较高的开关频率操作。较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）也有助于减小米勒效应的影响，从而提升开关速度并降低开关过程中的交叉导通风险。这对于构建高效、紧凑的DC-DC变换器尤其重要。
　　2SK3335还具备良好的热性能。其采用的TO-220FP封装具有较低的热阻（约1.0°C/W），配合合适的散热片可实现高效的热量散发。器件的最大工作结温可达150°C，并内置热关断保护机制，在异常温升情况下可防止永久性损坏。此外，该MOSFET通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等项目，确保长期使用的稳定性。
　　值得一提的是，2SK3335具有一定的抗雪崩能量能力，意味着其在感性负载切换过程中能够承受一定程度的电压尖峰，增强了系统的鲁棒性。同时，其栅源电压容限达到±30V，提供了更强的抗干扰能力和驱动兼容性，适用于使用不同驱动IC或分立驱动电路的场合。综合来看，这些特性使2SK3335在传统功率开关应用中依然保有较强的实用性与市场价值。

2SK3335主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，典型用途包括离线式反激变换器（Flyback Converter）、正激变换器（Forward Converter）以及半桥拓扑结构的电源设计。由于其600V的耐压能力，特别适用于通用输入电压范围（85~265V AC）下的AC-DC转换器，广泛用于电视、显示器、打印机等消费类电子产品中的内置电源模块。此外，该器件也常用于LED恒流驱动电源，尤其是在隔离式降压或反激架构中，作为主开关管承担能量传递任务。
　　在工业领域，2SK3335可用于小型电机驱动电路、电磁阀控制以及不间断电源（UPS）中的DC-DC升压或降压环节。其稳定的电气特性和良好的温度适应性使其能够在工厂环境或户外设备中可靠运行。同时，由于其封装标准化，易于进行PCB布局与散热管理，因此在自动化控制系统中也被广泛采纳。
　　在照明电子镇流器、电子变压器以及电池充电器等应用中，2SK3335同样表现出色。其快速的开关响应能力有助于实现精确的PWM调光控制，而较低的静态功耗则有助于满足能效标准要求。尽管近年来更高效的超结MOSFET逐渐普及，但2SK3335凭借成熟的供应链、合理的价格以及充足的供货保障，仍在许多成熟产品设计中继续服役。对于不需要极致效率但追求稳定性和性价比的应用而言，它仍然是一个值得信赖的选择。

2SK2542, 2SK2642, 2SK2996, STP6NC60WD, FQP6N60, IRFBC40