型号：2SK3283
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：900 V
　　连续漏极电流ID：5.5 A
　　脉冲漏极电流IDM：22 A
　　栅源电压VGS：±30 V
　　功耗PD：150 W
　　导通电阻RDS(on)：典型值2.0 Ω（最大值2.6 Ω）
　　阈值电压VGS(th)：4.0 V（最小），6.0 V（最大）
　　输入电容Ciss：1100 pF
　　输出电容Coss：260 pF
　　反向传输电容Crss：15 pF
　　开启延迟时间td(on)：25 ns
　　关断延迟时间td(off)：60 ns
　　上升时间tr：40 ns
　　下降时间tf：30 ns
　　工作结温范围Tj：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247

2SK3283的核心优势在于其高耐压与相对低导通电阻之间的良好平衡，使其成为900V级别功率MOSFET中的优选器件之一。该器件的漏源击穿电压高达900V，能够稳定工作于高压环境中，例如离线式开关电源或光伏逆变器等需要直接接入市电整流后的母线电压的应用场景。同时，其在室温下的典型RDS(on)仅为2.0Ω，最大不超过2.6Ω，在同类高耐压MOSFET中表现出较为优异的导通性能，有助于降低传导损耗，提高电源系统的整体能效。
　　该MOSFET采用东芝专有的沟槽结构设计，提升了单位面积内的载流子迁移效率，从而在不增加芯片尺寸的前提下实现了更低的导通电阻。此外，其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为60nC（测试条件VGS=10V, VDS=450V, ID=2.75A），这使得器件在高频开关应用中具有更快的响应速度和更小的驱动功率需求，有利于减小控制电路的复杂度和功耗。输入电容Ciss为1100pF，输出电容Coss为260pF，反向传输电容Crss仅为15pF，这些电容参数表明其具有较好的高频响应特性，并且米勒效应较弱，有助于防止误触发和振荡问题。
　　2SK3283具备良好的热稳定性和可靠性，其最大功耗可达150W，得益于TO-247封装出色的热传导能力，可通过外接散热器有效将结温控制在安全范围内。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛的工业环境。此外，它还具备一定的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定程度的自我保护，增强了系统鲁棒性。内置的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，如反激式转换器或半桥电路中的同步整流辅助路径。

2SK3283主要应用于需要高电压隔离与高效开关性能的电力电子系统中。常见用途包括离线式开关电源（SMPS），尤其是单端反激（Flyback）、正激（Forward）及LLC谐振变换器等拓扑结构，适用于电视、显示器、通信设备和工业电源模块中的主开关元件。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，当输入电压经过PFC级升至400V左右时，2SK3283可作为后级DC-AC逆变或高频斩波的关键开关器件使用。
　　在太阳能光伏逆变器系统中，2SK3283可用于直流侧的斩波调节或初级逆变桥臂，在中小功率机型中实现高效的能量转换。其900V的耐压裕量足以应对光伏阵列输出电压波动及电网回馈过程中的电压尖峰，确保长期运行的稳定性。同时，该器件也适合用于UPS不间断电源、焊接设备、激光电源等工业类高可靠性电源产品中，承担主功率开关的角色。
　　在电机驱动领域，特别是通用交流电机或永磁同步电机的小功率变频控制方案中，2SK3283可以作为半桥或全桥拓扑的一部分，执行PWM调制操作。虽然其开关频率通常建议在几十kHz以内以兼顾效率与温升，但在优化散热设计的情况下仍可支持较高频率工作。此外，该MOSFET还可用于高频感应加热、电子镇流器以及高压脉冲发生器等特殊应用场合，凭借其坚固的结构和稳定的电气特性，保障系统长时间可靠运行。

2SK3282, 2SK3564, 2SK3569, STF9NK90Z, 2SK2990