2SK3271-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高频开关应用和电源管理系统。这款MOSFET设计用于提供高效率和低功耗性能,适用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±12V
最大连续漏极电流(Id):8A
最大功率耗散(Pd):2W
导通电阻(Rds(on)):0.045Ω
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
2SK3271-01 MOSFET具有低导通电阻,从而减少导通损耗并提高系统效率。
它采用小型封装设计,适合高密度电路板布局。
该器件的栅极驱动电压较低,可在广泛的电源管理应用中实现高效的开关操作。
此外,2SK3271-01具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持可靠运行。
该MOSFET的封装形式为SOP(小外形封装),便于自动化装配和焊接。
其高频特性使其适用于DC-DC转换器和开关电源等高频应用。
2SK3271-01 主要用于以下应用场景:
1. DC-DC转换器:适用于升压和降压电路中的开关元件。
2. 电源管理系统:在便携式电子设备中用于高效电源管理。
3. 电池保护电路:用于控制电池充放电过程,防止过载和短路。
4. 高频开关电源:由于其高频特性,适用于高效能电源供应器。
5. 负载开关:在多路电源系统中作为电子开关使用。
Si2302DS, 2SK3019, FDS6680, AO4406