时间：2025/6/29 4:44:51
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FQD7N10TF 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 PDFN56-8 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能电源转换应用。
其额定电压为 100V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备较低的 Rds(on) 参数以减少导通损耗，提升系统效率。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏电流：7A
导通电阻：35mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗：3.4W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：PDFN56-8
FQD7N10TF 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关应用，例如 DC/DC 转换器。
3. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子设备要求。
5. 提供良好的热性能表现，能够在高温环境下稳定运行。
FQD7N10TF 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC/DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载切换与保护电路。
5. 充电器和适配器中的关键组件。
FQP12N10, IRLZ44N, FDS6676A
