类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.8mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.3V ~ 4.0V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C

2SK326201MR MOSFET具有多项关键特性以支持其在高要求应用中的性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，从而提高整体能效并降低工作温度。其次，该器件采用了TOLL（Toshiba Outline Package）封装技术，提供优良的散热性能和机械强度，适合高功率密度的设计需求。
　　此外，2SK326201MR具备出色的开关特性，包括快速的上升和下降时间，以及较低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。
　　在驱动兼容性方面，该器件的栅极阈值电压范围适中，适用于常见的驱动电路设计，同时其封装设计支持表面贴装（SMD），便于自动化生产与装配。最后，2SK326201MR符合RoHS环保标准，满足现代电子设备对环境友好型组件的要求。

该MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的车载充电器（OBC）与DC-DC转换器、工业自动化设备、电机控制模块、储能系统以及服务器电源供应器。由于其高效率和高可靠性的特点，2SK326201MR特别适用于需要高效功率转换和紧凑设计的高密度电源系统。
　　此外，该器件也适用于电池供电设备中的功率管理模块，例如不间断电源（UPS）、便携式医疗设备以及高功率LED照明系统。在这些应用中，2SK326201MR不仅提供了稳定的开关性能，还能有效降低能耗，延长设备的工作时间或运行效率。

TKA120N60W, SiR120N60, STD120N6F7