型号：2SK3255
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：1.0 A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：4.0 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值7.0 Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约22 pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：约10 pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极快恢复
　　功耗（PD）：1.5 W（最大值）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HSOP6 或类似小型化表面贴装封装

2SK3255具备多项关键特性，使其适用于高效率开关电源系统。首先，其高达600V的漏源击穿电压允许该器件用于通用输入电压范围内的AC-DC电源设计，兼容全球电网标准。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时典型值仅为7.0Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体能效，并减少了散热需求。
　　该器件采用东芝优化的沟槽结构技术，提升了单位面积内的载流能力，同时改善了热传导路径，增强了长期运行的可靠性。其较小的输入和输出电容（Ciss和Coss）使得开关过程中的充电和放电能量减少，有利于实现高频开关操作，降低磁性元件体积，提升电源功率密度。
　　2SK3255还表现出优异的开关特性，包括快速上升时间和下降时间，减小了开关过渡期间的能量损耗，进一步提升了转换效率。此外，该MOSFET的栅极阈值电压范围适中（2.0~4.0V），可兼容多种驱动电路设计，包括专用PWM控制器和集成驱动IC，确保可靠开启与关断。
　　器件内置的体二极管虽然不是主要功能部分，但在某些拓扑（如反激式变换器）中仍起到重要作用；该体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于抑制电压尖峰和EMI干扰。最后，其小型HSOP封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局降低了寄生电感，提升了高频下的工作稳定性。这些综合特性使2SK3255成为中小功率离线式开关电源的理想选择。

2SK3255广泛应用于多种中低功率电源系统中，尤其适用于对空间和效率有较高要求的设计场景。常见应用包括：通用输入范围（85~265V AC）的反激式开关电源（Flyback Converter），用于家电、智能插座、路由器等消费类电子产品的内置电源模块；此外也用于LED照明驱动电源，特别是隔离式恒流驱动方案中，凭借其高耐压和良好热稳定性保障灯具长期可靠运行。
　　在工业领域，2SK3255可用于小型PLC电源、传感器供电单元及远程I/O模块中的DC-DC转换器次级侧同步整流或初级侧主开关器件（视功率等级而定）。它也被集成于各类适配器产品中，例如手机充电器、USB PD辅助电源轨、笔记本电脑外围设备供电等，满足能源之星（Energy Star）和DoE Level VI等能效规范的要求。
　　此外，该器件还可用于待机电源（Standby Power Supply）设计，在主电源关闭后维持系统微控制器、通信接口等电路的低功耗运行，因其低静态电流和高效率表现而受到青睐。在电池供电或备用电源系统中，2SK3255可用于电压提升或稳压电路中的开关元件，实现高效能量转换。总体而言，凡是在数百伏高压环境下需要小型化、高效率、高可靠性的MOSFET开关的应用场合，2SK3255均是一个极具竞争力的选择。

2SK2982, 2SK3562, 2SK3625, TK09A60S