时间：2025/8/9 2:12:37
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2SK3217是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司制造。该晶体管适用于高频率开关应用，具有良好的热稳定性和快速开关特性。它通常用于电源转换器、DC-DC转换器、马达控制、负载开关以及各种高效率电源管理系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.5A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
功率耗散（PD）：1.25W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
2SK3217 MOSFET器件具有低导通电阻和快速开关响应，适合高频应用环境。其SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该晶体管具备良好的热稳定性，能够在较高温度下可靠运行，同时具有较高的抗静电能力，适合各种工业和消费类电子应用。
此外，2SK3217的栅极驱动电压范围宽，支持3V至20V之间的驱动，这使得它能够兼容多种控制器和驱动器电路。其低输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也有助于减少开关损耗，提高系统效率。
由于其优异的热性能和可靠性，2SK3217适用于各种电源管理应用，包括电池供电设备、DC-DC转换器、LED驱动电路和小功率马达控制等。
2SK3217常用于电源管理系统、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电池管理系统、小型电机控制、负载开关电路、便携式电子设备中的功率开关等。
2SK3218, 2SK3219, 2N7000, 2N7002, BS170
