类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：60V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：25mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：13nC
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP

2SK3211STR-E MOSFET具备多项优良特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。
　　其次，该器件的最大漏极电流为12A，漏极-源极电压额定值为60V，使其适用于多种中高功率应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　其SOP封装设计有助于提高PCB布局的灵活性，并支持自动化贴片工艺，提升生产效率。
　　最后，该器件的栅极电荷较低（13nC），有助于减少开关损耗，在高频开关应用中表现优异。

2SK3211STR-E MOSFET广泛应用于各类电源管理系统中，包括同步整流器、电池充电器、负载开关、电源管理模块等。
　　它也可用于电机控制、LED驱动器和工业自动化设备中的功率开关电路。
　　由于其高效率和紧凑型封装，该MOSFET非常适合用于便携式设备和空间受限的电子产品中。
　　此外，该器件还可用于服务器电源、电信设备和消费类电子产品的电源管理模块中，提供稳定可靠的功率控制方案。

Si4410BDY-T1-E3, FDS6680, AO4407A