MRF5035 时间：2025/9/4 1:39:38 阅读：18

MRF5035 是一款由 NXP（恩智浦）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于射频（RF）功率放大器应用。该器件设计用于在高频环境下提供高功率增益和高效率，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段以及无线通信设备中的功率放大电路。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：35V
　　最大漏极电流（Id）：1.5A
　　最大工作频率：175MHz
　　输出功率：50W（典型值）
　　增益：15dB（典型值）
　　封装形式：TO-220AB

特性

MRF5035 的主要特性之一是其在射频应用中的高功率处理能力。该器件能够在175 MHz的工作频率下提供高达50W的输出功率，适用于需要高功率放大的通信系统。其15dB的典型增益确保了信号在放大过程中保持较高的线性度和较低的失真。
　　此外，MRF5035 采用了先进的MOSFET工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其TO-220AB封装形式便于安装和散热，适用于各种射频功率放大器的设计。
　　该器件的另一个显著特点是其高效率，这使得它在电池供电或对功耗敏感的应用中表现出色。同时，MRF5035 的输入和输出阻抗匹配良好，简化了外围电路的设计，并提高了整体系统的性能。

应用

MRF5035 主要用于射频功率放大器的设计，尤其是在工业、科学和医疗（ISM）频段的无线通信系统中。常见的应用包括无线基站、射频测试设备、无线电发射机、工业控制设备以及远程监控系统。
　　由于其高功率输出能力和良好的频率响应特性，MRF5035 也广泛用于AM、FM和电视广播发射机的前级或末级功率放大电路。此外，它还可用于雷达系统、军用通信设备以及各种需要高功率射频放大的电子设备中。