类型：N沟道JFET
　　封装形式：SOT-23
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：-25V
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　跨导（Gm）：典型值6mS（在Vds=10V, Id=1mA条件下）
　　饱和漏极电流（Idss）：典型值为4mA（在Vds=10V, Vgs=0V条件下，范围一般为3～6mA）
　　截止电压（Vgs(off)）：典型值为-2.5V（范围一般为-1.5V至-4V）
　　栅极漏电流（Igss）：最大值为1nA（在Vgs=-20V条件下）
　　输出电容（Coss）：典型值约为5pF
　　输入电容（Ciss）：典型值约为6pF

2SK319具备出色的低频噪声抑制能力，特别适合用于高保真音频前置放大电路。其核心优势在于极低的栅极漏电流（Igss），通常小于1nA，在室温条件下可低至几十皮安级别，这使得它在高阻抗信号源匹配方面表现出色，例如与动圈式麦克风、压电传感器或光电二极管配合使用时，能够最大限度地减少信号衰减和失真。由于是结型场效应管结构，2SK319不存在MOSFET中的氧化层击穿风险，因而对静电敏感度相对较低，提高了现场使用的可靠性。
　　该器件的跨导（Gm）具有良好的线性度和温度稳定性，在典型工作电流下维持在6mS左右，确保了增益的一致性和频率响应的平坦性。饱和漏极电流（Idss）参数经过筛选后分布集中，便于工程师进行偏置设计，常采用自给偏压方式即可实现静态工作点的稳定设置。此外，2SK319的输入电容和输出电容均较小，分别约为6pF和5pF，有助于提升高频响应性能，扩展可用带宽，适用于宽带小信号放大场景。
　　SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。在PCB布局中，可通过合理的接地和屏蔽措施进一步发挥其低噪声潜力。值得注意的是，尽管2SK319本身噪声性能优异，但外围元件的选择（如偏置电阻、耦合电容）也会显著影响整体电路信噪比，建议使用金属膜电阻和低泄漏电容以匹配其高性能特性。

2SK319主要应用于需要高输入阻抗和低噪声放大的模拟电路中。最常见的用途是作为音频前置放大器的第一级放大元件，特别是在专业录音设备、麦克风前置放大器和高保真音响系统中，能够有效捕捉微弱声音信号并保持原始音质的纯净度。此外，在传感器接口电路中，如压力传感器、温度传感器和光电探测器的信号调理模块，2SK319凭借其高输入阻抗和低偏置电流特性，能够避免对传感器输出造成负载效应，从而提高测量精度。
　　在通信系统中，该器件可用于射频前端的小信号选频放大或混频器前级，尤其是在甚高频（VHF）频段以下的应用中表现良好。由于其良好的跨导线性度，也可用于构建简单的压控电阻或模拟乘法器电路。在医疗电子设备中，如心电图（ECG）放大器、脑电图（EEG）前置级等生物电信号采集系统中，2SK319能有效放大μV级微弱生理信号，同时抑制共模干扰和热噪声。
　　此外，2SK319还被广泛用于测试与测量仪器，如示波器、信号发生器和频谱分析仪的输入缓冲级，确保输入信号不失真地传递至后续处理电路。在科研实验装置中，常作为低噪声恒流源或有源负载使用。得益于其紧凑的SOT-23封装和宽泛的工作温度范围，该器件也适用于便携式仪表、电池供电设备和工业控制系统中的信号预处理环节。

2SK192, 2SK208, J309, J310, BF862