时间：2025/7/7 15:08:44
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SH31B474K500CT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其设计旨在满足高电流和高电压应用场景的需求，广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。
型号：SH31B474K500CT
类型：N 沟道功率 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：500V
Rds(on)（导通电阻，25°C时典型值）：474mΩ
Id（连续漏极电流）：8A
Qg（总栅极电荷）：25nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
fmax（最大工作频率）：500kHz
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SH31B474K500CT 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电压承受能力（500V），适合各种高压应用场景。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并支持高频操作。
4. 优秀的热稳定性，能够在宽温范围内可靠运行。
5. 内置保护功能（如雪崩能力），增强器件的鲁棒性和耐用性。
6. 紧凑的 TO-220 封装，易于集成到各种电路设计中。
这些特性使得 SH31B474K500CT 成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。
SH31B474K500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器设计。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统，例如电动车窗、座椅调节和灯光控制。
6. 家用电器中的功率转换和驱动部分。
由于其高电压和大电流处理能力，该器件特别适合需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRF540N
STP12NK50Z
FQP16N50
