类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220SM（表面贴装）

2SK3150STL的主要特性之一是其高漏源击穿电压（V(BR)DSS）达到100V，使其能够在高电压环境中稳定工作。此外，该器件的低导通电阻（RDS(on)）通常低于4毫欧，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构技术，提供了良好的热稳定性和较高的电流承载能力。同时，其封装形式为TO-220SM，支持表面贴装工艺，有助于提高PCB布局的灵活性和散热性能。
　　2SK3150STL还具备快速开关能力，适用于高频开关电源应用。其栅极电荷（Qg）较低，可减少开关过程中的能量损耗，提高系统的响应速度和效率。此外，该器件具有良好的热保护性能，能够在高温条件下保持稳定运行。
　　另一个关键特性是其高可靠性。该MOSFET在设计上优化了短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供更高的安全裕度，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。

2SK3150STL 广泛应用于各类高效能电源系统，例如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）以及电机驱动器等。由于其高电压和大电流能力，该器件也适用于不间断电源（UPS）、服务器电源、电信电源和工业自动化设备中的功率转换模块。
　　在汽车电子领域，2SK3150STL可用于车载充电器、电动车辆的电源管理系统以及48V轻混系统的功率转换电路。其高可靠性和热稳定性使其成为车载环境下理想的功率开关器件。
　　此外，该MOSFET还可用于高频开关电源和逆变器系统，提供高效能和紧凑型电源解决方案。其表面贴装封装形式有助于实现高密度PCB设计，适用于现代电子设备对小型化和轻量化的需求。

SiHF80N100E（Siliconix）、FDPF80N100（Fairchild）、TKA80N100X（Toshiba）