2SK3133S 时间：2025/9/7 15:21:06 阅读：6

2SK3133S是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于高效率、高功率密度的电子系统设计。2SK3133S采用先进的功率MOSFET制造技术，确保其在高电流和高电压环境下仍能保持稳定工作。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：300V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：9A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220SIS
　　功耗(Pd)：80W

特性

2SK3133S具有多项优良特性，使其在电源管理领域中表现出色。首先，其漏源电压高达300V，能够承受较高的电压应力，适用于各种高压应用环境。其次，导通电阻Rds(on)的最大值为0.45Ω，在导通状态下可显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力和稳定性。
　　该器件采用TO-220SIS封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。同时，其封装形式也便于安装在散热片上，适用于各种工业级和消费类电子设备。
　　2SK3133S的工作温度范围为-55℃至+150℃，适应多种恶劣环境条件，确保在极端温度下仍能正常工作。此外，其内部结构设计优化，减少了开关损耗，提高了开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等需要快速切换的应用场景。

应用

2SK3133S广泛应用于多种电源管理系统中，包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和UPS系统等。在消费类电子产品中，如电源适配器、LED驱动电源和充电器中也常见该器件的身影。由于其具备高电压承受能力和低导通电阻，非常适合用于高效率、高可靠性的电力电子系统设计。此外，在工业自动化控制、电机控制和储能系统中，2SK3133S也表现出色，能够有效提升系统的稳定性和能效。