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2SK308 发布时间 时间:2025/8/17 12:50:51 查看 阅读:33

2SK308 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高频放大器和开关应用中。这款MOSFET以其高增益、低噪声和良好的高频特性而闻名,适用于射频(RF)和音频放大器电路。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):150mA
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-92

特性

2SK308 MOSFET 具有高跨导(gm),使其在低电流下也能提供出色的增益性能。其低输入电容和反馈电容确保了在高频下的稳定工作,适用于射频放大器和前置放大器设计。
  此外,该器件的低噪声特性使其非常适合用于音频放大器和其他高保真信号处理电路中。2SK308的封装设计紧凑,适合在空间受限的应用中使用。
  该MOSFET还具有良好的热稳定性,能够在较高的温度下可靠运行,适用于多种工业和消费类电子产品。

应用

2SK308 常用于射频放大器、前置放大器、音频放大器和低噪声放大器设计中。它适用于无线通信设备、音频设备和测试仪器等应用。由于其高频特性和低噪声特性,2SK308也广泛用于收音机、电视机和其他需要高增益放大的电子设备中。

替代型号

2SK170, 2SK246, BF245C

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