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2SK306400L 发布时间 时间:2025/7/4 0:55:33 查看 阅读:7

2SK306400L是一种高性能的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于高功率、高频开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种工业和消费电子领域。其封装形式通常为TO-247,能够承受较高的电压和电流。

参数

最大漏源电压:1500V
  最大漏极电流:8A
  最大功耗:225W
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:160nC
  输入电容:2200pF
  开关时间:ton=80ns, toff=50ns

特性

2SK306400L具备高耐压能力,能够在高达1500V的工作环境下稳定运行。
  该器件的导通电阻较低,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  它还拥有快速的开关速度,能够满足高频应用的需求。
  此外,其坚固耐用的设计使其非常适合于恶劣环境下的应用,例如电源管理、电机驱动以及逆变器等场景。

应用

2SK306400L常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、光伏逆变器以及其他需要高效能功率切换的应用。
  由于其高耐压特性和低导通电阻,该器件在工业自动化设备中的电机驱动和控制电路中也表现优异。
  另外,它还可以用于不间断电源(UPS)系统和电动汽车中的电池管理系统(BMS)。

替代型号

2SK3064, IRFP260N

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2SK306400L参数

  • 数据列表2SK3064 View all Specifications
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 欧姆 @ 10mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装S迷你型3-G1
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SK30642SK3064-ND2SK306400LTR2SK3064TR2SK3064TR-NDQ783242