2SK306400L是一种高性能的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于高功率、高频开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种工业和消费电子领域。其封装形式通常为TO-247,能够承受较高的电压和电流。
最大漏源电压:1500V
最大漏极电流:8A
最大功耗:225W
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:160nC
输入电容:2200pF
开关时间:ton=80ns, toff=50ns
2SK306400L具备高耐压能力,能够在高达1500V的工作环境下稳定运行。
该器件的导通电阻较低,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
它还拥有快速的开关速度,能够满足高频应用的需求。
此外,其坚固耐用的设计使其非常适合于恶劣环境下的应用,例如电源管理、电机驱动以及逆变器等场景。
2SK306400L常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、光伏逆变器以及其他需要高效能功率切换的应用。
由于其高耐压特性和低导通电阻,该器件在工业自动化设备中的电机驱动和控制电路中也表现优异。
另外,它还可以用于不间断电源(UPS)系统和电动汽车中的电池管理系统(BMS)。
2SK3064, IRFP260N