时间：2025/7/4 0:55:33
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2SK306400L是一种高性能的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高功率、高频开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种工业和消费电子领域。其封装形式通常为TO-247，能够承受较高的电压和电流。
最大漏源电压：1500V
最大漏极电流：8A
最大功耗：225W
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：160nC
输入电容：2200pF
开关时间：ton=80ns, toff=50ns
2SK306400L具备高耐压能力，能够在高达1500V的工作环境下稳定运行。
该器件的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
它还拥有快速的开关速度，能够满足高频应用的需求。
此外，其坚固耐用的设计使其非常适合于恶劣环境下的应用，例如电源管理、电机驱动以及逆变器等场景。
2SK306400L常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、光伏逆变器以及其他需要高效能功率切换的应用。
由于其高耐压特性和低导通电阻，该器件在工业自动化设备中的电机驱动和控制电路中也表现优异。
另外，它还可以用于不间断电源（UPS）系统和电动汽车中的电池管理系统（BMS）。
2SK3064, IRFP260N
