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2SK2964 发布时间 时间:2025/8/2 8:53:16 查看 阅读:46

2SK2964是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝(Toshiba)公司生产。该器件适用于高频率和高功率的开关应用,具有较低的导通电阻和较快的开关速度,适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等应用领域。2SK2964采用TO-220封装形式,便于安装和散热。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):15A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):约28mΩ(典型值,具体取决于VGS)
  功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-220
  栅极电荷(Qg):30nC(典型值)
  输入电容(Ciss):约1300pF

特性

2SK2964具有多个显著的技术特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可以显著降低导通状态下的功率损耗,提高整体效率。其次,该器件的高电流承载能力(15A连续漏极电流)使其适用于中高功率的应用,例如电源转换器和负载开关。此外,2SK2964的栅极电荷较低,有助于实现更快的开关速度,从而减少开关损耗,适用于高频开关电路。其TO-220封装提供了良好的散热性能,确保在高功率运行时的稳定性。
  在可靠性方面,2SK2964具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在较宽的温度范围内稳定工作(-55°C至150°C)。其栅源电压为±20V,允许使用较高的栅极驱动电压以进一步降低导通电阻。此外,该MOSFET的输入电容较低,有助于减少驱动电路的负载,提高响应速度。
  总体而言,2SK2964是一款适用于多种功率电子应用的高性能MOSFET,结合了低导通损耗、高开关速度和良好的散热能力。

应用

2SK2964广泛应用于各种功率电子设备中。在电源管理系统中,它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。由于其高电流能力和低导通电阻,该器件非常适合用于便携式电子设备的电源管理模块,例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电电路。
  此外,2SK2964还可用于电机控制应用,如无刷直流电机驱动器和电动工具控制器。其快速开关特性有助于提高电机控制的效率和响应速度。在工业自动化系统中,该MOSFET可用于高频率的开关电路和继电器替代方案,提供更高的可靠性和更长的使用寿命。
  在电池供电设备中,2SK2964可作为主开关器件,用于管理电池充放电过程,提高能量利用效率。其高耐压特性也使其适用于LED驱动电路和高亮度照明系统。

替代型号

2SK2964的替代型号包括IRFZ44N、Si4410DY和FDMS8878。这些器件在电气特性和封装形式上与2SK2964相似,适用于相同的电路设计和应用场景。

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