时间：2025/9/7 14:28:01
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2SK2925STR 是一款由东芝（Toshiba）公司制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率放大应用中。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-223），适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(ON)）：约0.055Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
最大功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-223
2SK2925STR具有低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高效率。其快速开关特性适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。该MOSFET具备较高的耐用性和稳定性，适合在高温环境下工作。此外，其SOT-223封装形式支持表面贴装技术，有利于自动化生产和小型化设计。
这款MOSFET还具有良好的热稳定性和过载能力，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。其低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，从而提高整体系统效率。在设计上，2SK2925STR非常适合用于需要高效率和紧凑布局的电源管理系统。
2SK2925STR 常用于各种电子设备中的功率控制和开关电路，包括DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、马达驱动电路以及便携式电子设备中的电源管理模块。由于其高效率和小尺寸，也适用于通信设备和消费类电子产品。
2SK3018, 2SK2648
