2SK2900 时间：2025/8/9 11:33:31 阅读：29

2SK2900 是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。该器件由东芝公司生产，具有较高的导通性能和较低的导通电阻，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等应用领域。2SK2900 采用TO-220封装，具备良好的散热能力，适合高电流工作环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.028Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约90nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK2900 具备一系列优异的电气和热性能特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。这对于DC-DC转换器和电源管理系统尤为重要。
　　其次，2SK2900 支持高达50A的漏极电流，并具有100V的漏-源击穿电压，能够承受较大的功率负载，适用于高电流和高电压的开关电路。　　此外，2SK2900 采用TO-220封装，这种封装形式具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该MOSFET还具备较强的抗静电能力和较高的热稳定性，能够在复杂的工作环境中保持稳定运行。

应用

2SK2900 主要应用于需要高电流和高效率的功率电子设备中。常见的应用包括电源供应器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、功率放大器以及工业自动化控制系统等。在这些应用中，2SK2900 可以作为高效的开关元件使用，帮助提高系统的能量转换效率并减少热量产生。此外，由于其良好的热性能和电气特性，它也适用于一些对可靠性要求较高的汽车电子和工业控制模块。