类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：6A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：52mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK2894-01R 具备一系列高性能特性，使其在电源管理和高频转换应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高电源转换效率，这对于需要节能设计的设备尤为重要。其次，MOSFET的高栅源电压（±20V）提供了更强的栅极驱动能力，确保在高频率工作时仍能保持稳定的开关性能。
　　该器件的漏源耐压为30V，能够承受一定的电压应力，适用于多种中低功率的电源转换场景。同时，6A的最大漏极电流能力使其适用于需要较高电流输出的负载开关和DC-DC转换器应用。
　　采用SOT-23封装，2SK2894-01R 具有紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局，同时也便于散热管理。此外，该器件的工作温度范围宽，从-55°C至+150°C，确保其在各种环境条件下均能稳定运行，适用于工业级和消费级电子产品。
　　值得一提的是，该MOSFET具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，进一步提高了整体系统的效率。其低输入电容和低栅极电荷也使得驱动电路设计更加简单，降低了控制器的负担。

2SK2894-01R MOSFET广泛应用于多种电源管理系统和电子设备中。常见应用包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池供电设备、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）、电源管理模块以及各类需要高效能功率开关的场合。
　　由于其高效率和小尺寸特性，该器件特别适合用于空间受限的便携式设备中。例如，在移动设备的电源管理电路中，2SK2894-01R 可用作主电源开关或辅助电源控制元件，实现高效的能量传输与管理。
　　在工业控制系统中，它也可用于控制电机驱动、LED照明电源和小型电源适配器等应用。此外，由于其良好的热稳定性和高可靠性，该MOSFET也适用于需要长期稳定运行的工业和通信设备电源系统。

Si2302DS, 2N7002K, FDV301N, AO3400A