MA0402CG131K500 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,在确保高效率的同时具备出色的热性能和可靠性。其封装形式适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和集成。
该芯片具有较低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合用于高频开关场景。此外,其强大的电流处理能力和耐压特性使其成为工业控制、消费电子以及汽车电子领域的重要选择。
型号:MA0402CG131K500
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
总功耗(Ptot):175W
工作温度范围(Top):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-3
MA0402CG131K500 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,仅为4mΩ,可有效减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度,能够支持高频工作环境,降低开关损耗。
3. 强大的电流承载能力,最高可达40A,适用于大功率应用。
4. 良好的热性能,能够在极端温度条件下稳定运行,适应工业及汽车级要求。
5. 高可靠性和长寿命设计,确保在严苛环境下仍能保持稳定的性能表现。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足国际环保法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器,例如降压或升压电路。
3. 电机驱动与控制,支持高效能的电机运行。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. 汽车电子系统,如车载充电器和电动助力转向系统(EPS)。
6. 其他需要高电流、高效率功率切换的应用场景。
MA0402CG120K500, IRFZ44N, FDP55N06L